职位详情
五险一金
年终奖金
股票期权
带薪年假
发展空间大
团队聚餐
子女福利
节日礼物
定期体检
年底双薪
职责描述：
1、 参与Reram 薄膜相关ALD工艺研发试验的制定和实施，按时完成工艺开发项目
2、 根据电学特性，对当前工艺进行持续改善从而提升Reram电学性能
3、 ALD机台的process setup and recipe CIP
4、 根据PIE的要求，针对项目研发中所遇到的问题，参与解决方案的制定及实施
5、 ALD制程相关异常处理
任职要求：
1、 物理，化学，电子，材料等理工科专业，本科及以上学历，硕士以上学历优先；
2、 2年以上fab薄膜ALD相关工作经验，有12寸fab ALD ALOx,ALD HfOx,ALD TaOx,ALDNbOx经验优先；
3、良好的数据分析能力、执行力、沟通能力；
4、 思路清晰，积极主动。
公司介绍
昕原半导体（上海）有限公司成立于2019年，专注于ReRAM新型存储技术及相关芯片产品的研发，涵盖高性能工控/车规SoC/ASIC芯片、存算一体（Computing in Memory, CIM）IP及芯片、系统级存储（System-on-Memory, SoM）芯片三大应用领域。
作为国内ReRAM商业化**企业，昕原半导体掌握一体化闭环技术能力，覆盖器件材料、工艺制程、芯片设计、IP设计和中试量产等诸多环节。由昕原自主建设的中国大陆首条先进制程 ReRAM 12寸中试后道生产线已顺利通线。
昕原作为中国大陆**一家先进制程ReRAM实现量产的公司，也是国际上新型存储器产品商业化**的企业之一。公司“昕·山文” 系列ReRAM安全存储产品，率先实现了先进制程 ReRAM在工业自动化控制领域的商用量产。
