职位详情
岗位职责：
1、调研功率器件封装和第三代半导体以及先进封装等封装相关的设计方案、封装结构、材料、封装工艺、可靠性、应用的需求，针对GaN特性与封装厂、材料供应商以及设备厂商等合作开发适合GaN新型功率封装形式，进行工程验证制样和实现量产化；
2、根据GaN晶圆工艺、材料和功率封装特性，与封装厂、材料供应商以及设备厂商等合作开发，进行工程验证制样和实现量产化；
3、根据GaN器件和功率封装特性，与封装厂、材料供应商等开发导入新型封装材料，进行工程验证制样和实现量产化
4、根据项目需求完成封装导入，按照项目各节点准时交付。
岗位要求：
1、硕士及以上学历，半导体、电子、机械、材料相关专业；
2、有十年以上一流封装厂、IDM或设计公司从事功率器件封装研发，三年以上功率封装工艺制程以及五年以上项目管理经验，具有第三代半导体封装工作经验优先；
3、精通功率封装BoM选择、封装结构设计、封装工艺流程，熟悉封装热、寄生、力学等设计，熟悉功率封装可靠性以及功率应用多种场景失效模型和机理；
4、熟练掌握项目IPD、APQP、IATF16949、FMEA、SPC、DoE等；
5、具有项目开发管理经验，极强抗压、沟通、组织协调能力，丰富封装资源，善于独立发现问题分析问题和解决问题。
工作地址
苏州-吴江区苏州市吴江区汾湖经济开发区新黎路98号
公司介绍
英诺赛科于2015年12月成立，是一家专业从事新型第三代半导体材料、器件以及集成电路开发与制造的高科技公司，在全球首次实现了8英寸硅基氮化镓材料与器件的大规模量产。现有员工1500多人，在珠海设有研发中心及生产基地，在苏州设有管理中心及大规模生产基地，在深圳设有应用研发中心，在南京、成都、上海、北京、台湾、日本、美国等国家及地区设有办事机构或代表处。英诺赛科掌握8英寸硅基氮化镓材料、器件及集成电路设计、制造全产业链核心技术，汇聚各国半导体产业精英人才，共同打造功率与射频半导体国际一流品牌，并与多家国际技术研发机构开放合作，形成半导体产业跨国创新联盟。英诺赛科采用IDM (Integrated Device Manufacturer) 全产业链模式，致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。产品涵盖高低压功率半导体器件、IC及射频器件，是目前全球唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的企业。公司产品具有小尺寸、高性能、低成本、高可靠性等优势，全面助力新能源汽车、5G通信、人工智能、无线充电与快充、数据中心及激光雷达等行业高效、节能、绿色发展。英诺赛科作为中国“芯”动力，将以融汇全球高端智力资源，研发顶尖半导体应用产品的决心，秉承“创新引领时代，同心筑梦中国，用’芯’点亮未来”的使命，蓄势待发，为国家第三代半导体腾飞做出贡献。
