国创越摩先进封装项目由市国投集团、上海兴橙资本合资建设，项目选址株洲经开区云霞大道旁，规划用地220亩，总投资约26.8亿元，其中一期预计总投资10.62亿元，规划用地面积100.96亩，计划建设100级、1000级及万级车间共9万平米，配套用房1万平方米，建设5G射频滤波器晶圆级封装线（WLCSP）和射频前端模块系统级封装线（SiP）各一条，打造包含4/6吋晶圆级封装和系统级封装，包含射频滤波器芯片和射频前端模块、其他晶圆级和系统级封装等多种产品，技术先进、产品多元的世界级半导体封装产业基地。项目预计2022年3月建成投产，投产后可实现5G滤波器国产化封测产线零的突破，同时依托领先的晶圆级封装和系统级封装服务，吸引优质上下游企业集聚株洲，着力将株洲打造成5G射频芯片及模块先进封装供应链中心。