一、岗位职责

1、负责把控SiC晶体生长工艺，优化工艺参数，保证长晶设备的正常操作运行；

2、负责测试及分析样品的基本物理特性，通过调节工艺参数、优化SiC晶体物理性质；

3、负责长晶过程控制和失效分析，完成设备故障处理及标准化操作流程；

4、负责开发新工艺、新技术，并进行长晶团队的搭建和人才培养。

二、任职要求

1、本科及以上学历，电子、物理、材料等相关专业；

2、碳化硅单晶相关工作经历，其中至少5年以上SiC晶体生长相关工作经历，对SiC晶体的生长工艺、外延、器件物理、材料特性表征方面具有较深厚的知识储备；

3、有半导体制造行业经验，具备新材料及新产品的开发、转化生产等能力；

4、熟悉国内外相关行业技术现状、技术发展趋势及相关资讯。