安建科技是一家专门从事功率半导体元器件的设计、研发、及销售的高科技公司。公司主要产品包括高性能沟槽栅场截止型绝缘栅双极性晶体管（Trench-FS IGBT）、屏蔽栅沟槽型场效应晶体管（Shielded-Gate Trench MOSFET）、高压场效应晶体管（HV MOSFET）、快速恢复场效应晶体管（Fast-Recovery MOSFET）等，产品被广泛应用于电源管理、电机驱动等系统中。公司在广东深圳和中山设有研发中心。公司技术团队带头人包括美国电气电子工程师学会院士（IEEE Fellow）及著名大学教授，且主要研发人员皆拥有北美或中国香港著名大学博士学位，以及日本整合元件制造商、台湾晶圆代工大厂等相关工作经验。此外，安建科技策略性地与位列世界前端的香港科技大学合作进行多项科研项目合作，并成功将科研成果用于提升产品性能。公司的技术专长涵盖半导体元器件设计、生产良率控制、产品质量及可靠性保证、元器件测试及失效分析等，并拥有多项国内外发明专利，致力于为客户提供世界先进技术水平的功率半导体元器件及相关服务。