职位详情
工作内容：
1、独立开展化合物半导体晶体生长工艺开发、优化工作；
2、分析实验结果，给出科学解释，提出改进建议及方案。
3、熟悉化合物半导体晶体生长技术及工艺（如：蓝宝石、硅、砷化镓、磷化铟等熔体生长，磷化镓、功能晶体等液相生长，或碳化硅、氮化铝等PVT生长）；
4、熟练使用晶体生长模拟软件，并通过模拟结果指导工艺方案的制定；
5、具有专利写作、论文写作经验。
任职要求：
1、专业：分子动力学、分子学、材料类专业、物理类专业、化工类、机械类、计算机类和微电子类专业；
2、学历经验：硕士3-5年经验、博士应届生学历；
3、个人素质：工作专注细致、善于分析推论、有责任心、逻辑思维能力强。
工作地址
常州-武进区 常州-武进区武宜南路377号高新创业产业园19号
公司介绍
常州臻晶半导体有限公司是化合物半导体材料领域高新技术企业。材料科学姑苏实验室项目，也是常州国家级高新区重点引进项目。公司成立于2020年10月，位于常州武进区武宜南路377号国家高新区创业产业园19号楼。
公司专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）的液相法晶体研发、生产和销售的企业。姑苏实验室项目围绕研发碳化硅材料领域科学前沿技术开展。建立集晶体生长、晶体加工、晶片加工和清洗检测的全套碳化硅衬底研发生产平台与基地。公司拥有热场设计、活性助溶体系、晶体稳定生长等核心技术，已成功研制出大尺寸碳化硅晶体和晶片，材料品质达到国际先进水平，并已申请多件发明专利。未来公司将基于国家战略及市场需求，聚焦核心关键技术，加大研发投入，实现技术突破，加速实现高端化合物半导体材料向更大尺寸更高品质的产业化发展。
公司拥有核心研发技术团队：多位成员是几十年在化合物半导体领域的研发及产业化的领军科研人才。其中创始人陆敏博士，曾任中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟秘书长，主持或参与第三代半导体研发项目十余项，申请并授权发明专利十余件，起草并发布碳化硅国际、国家及团体标准15件。
公司秉承乐趣、诚信、创新的企业文化。大力研发生产高温、高功率、高压、高频和高性价比碳化硅半导体材料加速碳化硅在新能源车、高铁、电网及航天国防中的规模化应用。
